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晶圆减薄并非“简单削薄”,而是直接影响芯片性能与应用场景的关键工序，主要作用包括：

适配先进封装需求：在芯片堆叠（如3D、IC、SiP封装）中，减薄后的晶圆（厚度50-100μm）可大幅降低堆叠高度，实现设备小型化（如手机SoC芯片、穿戴设备芯片）；同时，薄晶圆更易实现硅通孔（TSV）工艺，提升芯片间的信号传输速度。

提升散热效率：芯片工作时产生的热量需通过晶圆传导至散热结构，较厚晶圆（如＞300μm）会形成“热阻屏障”，减薄后（如＜100μm）热阻可降低40%-60%，避免芯片因过热导致性能衰减或寿命缩短（典型应用：功率半导体芯片、汽车电子芯片）。

满足特殊器件性能要求：MEMS（微机电系统）器件（如加速度传感器、陀螺仪）需通过晶圆减薄机（厚度20-50μm）实现“机械灵敏度”—— 薄晶圆更易在外部力作用下产生微小形变，从而精准感知物理信号；此外，射频（RF）芯片减薄后可减少电磁干扰，提升信号稳定性。

总而言之，芯片基材在晶圆减薄机上加工后，能实现超薄芯片的产生，有效提升各类穿戴设备的存储和运算性能，也能在各个智能化信息化领域提供有效的性能支撑。